Линейность гальваностатических зарядных кривых в зависимости от содержания ТОМ в композите СК ДЭС - Доклады на конференциях

Линейность гальваностатических зарядных кривых в зависимости от содержания ТОМ в композите СК ДЭС Доклады на конференциях

Язык

Русский

Тип доклада

Стендовый

Конференция

I Всероссийская научная конференция с международным участием «ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И ЗАЩИТА ОТ КОРРОЗИИ»
20-23 нояб. 2023 , г. Казань

Авторы

Хромин Д.А. ¹ , Кутлимуратов Р.М. ¹ , Кузнецова А.Р. ¹ , Суровикин Ю.В. ²

Организации

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)

Центр новых химических технологий Федерального государственного бюджетного учреждения науки "Федеральный исследовательский центр «Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук» (Омский филиал)

Получены гальваностатические зависимости напряжения от времени макетов суперконденсаторов двойного электрического слоя (СК ДЭС) на основе углерод-углеродных нанокомпозитов на основе технического углерода (ТУ) с различной долей термоокисленной модификации (ТОМ) Показано, что доля ТОМ влияет на линейность гальваностатических зарядных кривых.

Хромин Д.А. , Кутлимуратов Р.М. , Кузнецова А.Р. , Суровикин Ю.В.
Линейность гальваностатических зарядных кривых в зависимости от содержания ТОМ в композите СК ДЭС
I Всероссийская научная конференция с международным участием «ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И ЗАЩИТА ОТ КОРРОЗИИ» 20-23 нояб. 2023